在使用条形磁铁技术记录信息的硬盘驱动器上，删除文件后，内容仍然存在，直到被覆盖，但SSD不存在。
固态硬盘非常奇怪，因为它们在编写数据时的方式很奇怪，更奇怪的是它们删除信息的方式。在使用条形磁铁技术记录信息的硬盘驱动器上，删除文件后，内容仍然存在，直到被覆盖，但SSD不存在。它们与过去处理已删除数据的技术不同。删除正在进行时，删除的内容将无法恢复。只需打开SSD，它就会在后台启动垃圾收集，即使你在只读隔离区写入，它也会删除带有剪切功能的数据块。
修剪的作用
在主对的机械硬盘驱动器上，当写入数据时，Windows将通知硬盘驱动器删除前一个，然后将新数据写入磁盘。删除数据时，Windows只会在此处标记，表示此处不存在任何内容，然后在写入数据时将其删除，并且拨号操作将保留在磁盘缓存中，直到磁盘处于非活动状态。再跑一次。结果，磁盘需要更多时间来执行上述操作，当然，速度会降低。当Windows识别SSD并确认SSD与Trim兼容时，删除数据时，不会将删除命令通知给硬盘。仅使用卷位图来记住数据已被删除。卷位图只是一个磁盘快照，其创建速度比直接读取和写入硬盘驱动器以标记已删除区域要快得多。这一步节省了大量时间。然后，当您写入数据时，由于NAND闪存中保存的数据纯数字化，您可以根据卷位图直接将新数据直接写入快照中的已删除区域，而无需花时间删除原始数据。数据注意：如果SSD配置了RAID0阵列0，则剪切功能将丢失。
复制SSD后，即使复制时实际数据仍然存在，您也无法在删除区域中找到任何内容。应该注意的是，SSD的存储容量大于手册中的容量，因为物理存储容量的5％到15％专用于不可寻址组，系统传输数据从SSD中删除。处理剪辑后，您可以直接进入群集，而无需访问甚至解决块。
但事情并非绝对。现在您可以访问SSD中删除的数据，但唯一的方法是移除芯片并手动分析。该过程耗时，复杂并且使用的设备非常昂贵。为此，我们询问了一些数据恢复专家。他们告诉我们，他们可以在大约两周内完成对四芯片SSD的分析，对最近十款芯片的SSD无能为力。最近的发现指出，BitLocker保护内置的Windows倾向于授予其在SSD控制器的数据进行加密，而不是使用的CPU的计算机上加密的任务。正如研究中发现的那样，许多消费级SSD可以轻松保护SSD中内存芯片的加密密钥。
在这篇文章中，我们将讨论SSD取证的最新发展，如何防止激活TRIM后的背景数据被删除，并提供访问所有的磁盘存储容量，包括非寻址领域。此方法使用所谓的工厂访问模式。但在谈到工厂访问模式之前，让我们先来看看SSD如何存储信息以及为什么它易于删除和消除。
信息如何存储固态硬盘？
与使用更多或更少的连续的写操作（分段条和重新映射坏扇区），丢弃线性脚本固态硬盘，而是划分信息转换成不同的NAND并发写入磁硬盘驱动器。许多小块数据。这种类型的并行写入是SSD快速运行的原因。在某种程度上，我们正在讨论由安装在单个PCB中的NAND芯片构建的类矩阵raid0（带）。
固态驱动器仅具有及时的固态NAND芯片单元，并且难以以线性方式写入信息。可以动态地为存储器芯片中的每个物理块分配逻辑地址，以帮助SSD控制器执行磨损的调平。因此，读取NAND芯片的内容将返回一个谜题，这意味着您想要看到的内容以随机方式混合在几个块中。
注意：磨损均衡该技术使用一种算法在微控制器闪存设备来跟踪的存储器使用在闪存中。这允许数据重新写在一次不同的存储位置，而不是打字在同一存储器位置。
固态硬盘，像大多数其他类型的固态介质，必须转换NAND地址映射坏块，并提供磨损均衡。基本上，所有NAND厂商已设法如（放大写入）可对SSD的寿命产生负面影响约1000和1500之间的因素SSD的写入周期中，而高速缓存算法智能SLC降低存储单元的物理磨损，即使写入操作的数量比下线的数量。我们覆盖影响SSD的寿命在接下来的文章中很多其他因素。注意：WA是与闪存和SSD相关的极其重要的属性。由于必须在可以重写闪存之前擦除闪存，因此在这些操作期间数据会移动多次。这些重复操作不仅会增加写入数据的数量，还会缩短闪存的使用寿命并消耗闪存的可用带宽，这会间接影响随机写入性能。 WA术语最初由英特尔公司和硅系统公司于2008年提出（2009年被Western Digital收购）并用于公共手稿。
真正重要的是，即使没有SSD驱动程序的帮助，也只能恢复一个文件非常困难。这位专家的第一件事就是重建转换表，以确定哪些NAND芯片及其包含的确切地址。不同SSD驱动程序的转换表格式不同。 SSD包含的NAND芯片越多，重建转换表就越困难。
随着电子设备的成本逐年下降，普通消费者现在可以使用SSD，其存储容量超过1TB甚至2TB，这是三年前难以想象的。
为了以更低的价格生产具有更高容量的固态存储器，制造商必须在相同的空间或更小的空间中压缩更多的存储器单元。这无可比拟地减小了每个单元的尺寸并缩短了其使用寿命。虽然基于SLC NAND闪速存储器可以一个比特的信息存储在每个小区中，MLC NAND（全名细胞多级闪存单元的多级，MLC存储使用大量的电压电平的每单元两个位的数据，数据市长密度）可以存储两位数据。固态硬盘今天主要TLC（每单元三个数据比特），和甚至更便宜单元可以包含每个小区（QLC NAND）四位。与低密度NAND相比，每次迭代都会降低NAND闪存速度，更重要的是降低可靠性。
您可以看到TLC存储器单元是最慢和最不可靠的。为了让基于TLC提高存储效率，增加货架寿命的固态硬盘，很多厂商都试图分配存储为SLC专用高速缓存的一部分。作为SLC缓存的数据块，只需要一个小单元来放置一些信息。与TLC单元相比，它们使用更少，写入速度更快。控制器维护用作SLC高速缓存的数据块列表。如果我们尝试读取这些块直接访问芯片，我们希望能得到三个数据位，然后调用SLC单位返回无意义的信息。摘要
闪存芯片分为SLC，MLC，TLC等。根据内部结构，闪存芯片是由多个闪存芯片组成的方体。
闪存颗粒直接影响访问率，寿命，生产成本等。 SSD的。
SLC，英文中的全名单级单元，1位/单元，单层存储，只允许将一位信息存储在存储器元件中。
MLC，英文多级单元的全称，2位/单元，多层存储，允许在存储器元件中存储2位信息。
TLC，英文中的全名三级单元，3位/单元，三层存储，允许在存储器元件中存储3位信息。
可以得出结论，当闪存颗粒的面积相同时，存储量从小到大：SLC
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